Когда воспоминания записываются в мозге, между нейронами образуются связи. Сотрудники Калифорнийского университета, расположенного в Дейвисе, выяснили, каким образом эти связи можно ослабить или укрепить на уровне молекул.

По заявлению компании Samsung, недавно в серию запущено производство флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объёмом — 512 ГБ. Это первый накопитель формата eUFS с таким большим объёмом памяти. Технологический гигант заверил, что новинка будет использована в смартфонах и планшетах следующего поколения.

В жизни почти каждого человека бывают стрессовые ситуации, надолго оставляющие по себе тревожную память и даже вызывающие определенные болезни, требующие обращения к специалисту. Выяснением причин этого и занялись американские ученые двух университетов (Колумбийского и Макгилла). Они обнаружили 2 различных типа памяти, на которые можно будет воздействовать.

Южнокорейский производитель Samsung заявил о начале массового производства чипов памяти LPDDR4 с плотностью 12 Гигабит, что является рекордом на сегодняшний день. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм, что даст возможность создавать микросхемы на 6 ГБ для мобильных устройств, так что появление смартфонов с 6 ГБ оперативной памяти уже не за горами. Для получения такого объёма необходимо объединить четыре 12-Гбитных чипа. По своим габаритам новая микросхема сопоставима с нынешней на 3 ГБ.

Компания Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трехмерных ячеек памяти. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015-го года. Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить ёмкость памяти, улучшить надёжность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.

Выпустив свой новый флагман Galaxy S6 компания Samsung многих обидела отсутствием в нём слота для карты памяти и относительно маленьким несъёмным аккумулятором. Компания Incipio решила исправить ситуацию выпустив аксессуар решающий сразу обе проблемы. Incipio offGRID совместим с Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge и имеет встроенный аккумулятор ёмкостью 3 700 мАч, а также слот для карты памяти microSD объёмом до 128 ГБ. Единственный минус - это увеличение толщины смартфона почти вдвое. Оценили Incipio offGRID в $90.

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix - производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.

Памятник Стиву Джобсу, который был установлен в технопарке Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО) и некоторое время назад демонтирован в связи с необходимостью в ремонте, как оказалось, не будет возвращён на место. Компания ЗЕФС, по инициативе и на средства которой он создавался, сообщает, что после реставрации монумент был выставлен на аукцион, который завершился в среду, 10 декабря. По условиям договора, подробности сделки и имена её участников будут названы только в начале следующего года, однако известна ставка победителя торгов: она составила 10 миллионов рублей. Все вырученные средства будут направлены на гранты молодым российским IT-разработчикам.

Сегодня в Сети появилась информация об очередном смартфоне компании Oppo. Новинка получила название Oppo U3, а её характеристики выглядят следующим образом: 4.6-дюймовый экран с разрешением 1920x1080 пикселей, 8-ядерный процессор MediaTek MT6752 с частотой 1.7 ГГц, графический чип Mali-T760, 2 ГБ ОЗУ, всего 1.1 ГБ постоянной памяти, 4.7 МП фронтальная и 12 МП основная камеры, а операционной системой станет Android 4.4.4 KitKat. Несмотря на очень скромный объём памяти смартфона, данных о наличии слота для microSD пока нет. Смартфон может появиться в продаже до конца текущего года.

Dell накануне анонсировала новое поколение своих массивов для хранения информации, получивших поддержку 10-гигабитных Ethernet-каналов. Оба представленных новых решения Dell PS6110 и PS4110 поддерживают протокол iSCSI, позволяющий использовать преимущества традиционных локальных сетей для сохранения трафика. Также компания анонсировала обновленный набор программного обеспечения Equallogic Host Integration для Windows Server 2008 и Linux, позволяющий делать снимки массивов данных на серверах и кластерах, чтобы потом иметь возможность быстрого восстановления информации.