Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix - производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.

Памятник Стиву Джобсу, который был установлен в технопарке Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО) и некоторое время назад демонтирован в связи с необходимостью в ремонте, как оказалось, не будет возвращён на место. Компания ЗЕФС, по инициативе и на средства которой он создавался, сообщает, что после реставрации монумент был выставлен на аукцион, который завершился в среду, 10 декабря. По условиям договора, подробности сделки и имена её участников будут названы только в начале следующего года, однако известна ставка победителя торгов: она составила 10 миллионов рублей. Все вырученные средства будут направлены на гранты молодым российским IT-разработчикам.

Сегодня в Сети появилась информация об очередном смартфоне компании Oppo. Новинка получила название Oppo U3, а её характеристики выглядят следующим образом: 4.6-дюймовый экран с разрешением 1920x1080 пикселей, 8-ядерный процессор MediaTek MT6752 с частотой 1.7 ГГц, графический чип Mali-T760, 2 ГБ ОЗУ, всего 1.1 ГБ постоянной памяти, 4.7 МП фронтальная и 12 МП основная камеры, а операционной системой станет Android 4.4.4 KitKat. Несмотря на очень скромный объём памяти смартфона, данных о наличии слота для microSD пока нет. Смартфон может появиться в продаже до конца текущего года.

Dell накануне анонсировала новое поколение своих массивов для хранения информации, получивших поддержку 10-гигабитных Ethernet-каналов. Оба представленных новых решения Dell PS6110 и PS4110 поддерживают протокол iSCSI, позволяющий использовать преимущества традиционных локальных сетей для сохранения трафика. Также компания анонсировала обновленный набор программного обеспечения Equallogic Host Integration для Windows Server 2008 и Linux, позволяющий делать снимки массивов данных на серверах и кластерах, чтобы потом иметь возможность быстрого восстановления информации.

Корпорация IBM сегодня сообщила о производстве прототипа новой энергонезависимой памяти, которая будет работать значительно быстрее существующих сейчас аналогов. Новинка, получившая название Racetrack Memory, во многом использует те же технологии, что нынешние кремниевые чипы. Благодаря тому, что новая память работает не с электрическим током, как сейчас, а с технологией магнитного взаимодействия, емкость портативных плееров может увеличиться до 6-7 терабайт и на них можно будет хранить десятки фильмов в сверхвысоком качестве или сотни тысяч музыкальных файлов. Чипы памяти, создаваемые в IBM, оперируют почти неуловимыми магнитными полями для сохранения данных в цифровом варианте. В статье, опубликованной в научном журнале Science, группа разработчиков из лаборатории корпорации в Калифорнии отмечает, что им удалось создать рабочий прототип микроскопических магнитных блоков, из которых будут состоять будущие чипы памяти.

Новая модель SSD накопителя под индексом U100, впечатляет своими характеристиками. Благодаря новому интерфейсу SATA III, он стал вдвое быстрее существующих моделей уже прошлого поколения. Речь идет о 450 Mб/с чтения и 340 Mб/с записи. Максимальная емкость составит 256 Гб. Вторая модель - I100, обладает еще меньшими размерами. При этом скорость чтения так же составит 450 Mб/с. Запись несколько медленнее - 160 МБ/с. Новые диски должны появиться на рынке с скором будущем, и несомненно будут востребованы производителями планшетов и нетбуков.