ULTRARAM — энергонезависимая память с хранением данных до 1000 лет, которая лучше DRAM
Профессор Манус Хейн из Ланкастерского университета изобрёл технологию памяти ULTRARAM, которая способна хранить данные более 1000 лет и потребляет меньше энергии, чем DRAM. В будущем такую память намерена выпускать компания Quinas, но уже сейчас она получила премию на конференции Flash Memory Summit за инновационную разработку.
Как и обычные чипы памяти, ULTRARAM использует квантово-механический эффект резонансного туннелирования, заменяя оксидный туннельный барьер резонансной туннельной структурой с тройным барьером. Это позволяет транзисторам с плавающим затвором работать при низком напряжении, но с высокой скоростью, долговечностью и эффективностью.
«Мы с гордостью награждаем Quinas за изобретение нового типа компьютерной памяти, которая сочетает в себе скорость, долговечность и энергоэффективность в единой концепции памяти», — сказал председатель жюри Джей Крамер.
Цель компании Quinas — превратить технологию в коммерческий продукт, который сможет превзойти по производительности память DRAM. Последняя сейчас используется в повседневной электронике и другой вычислительной технике в виде ОЗУ.