Новая разновидность искусственного интеллекта была успешно разработана командой исследователей из Центра наркомании и психического здоровья, Университета Торонто и Института психического здоровья Дугласа под руководством доктора вычислительной нейробиологии Маллара Чакраварти. Система может предсказать заболевание Альцгеймера ещё до того, как познавательные способности человека снизятся.

Бенджамин Шторм и Джулия Соареш, исследователи из Калифорнийского университета, утверждают, что фотосъёмка разнообразных объектов и событий плохо влияет на их запоминание самим человеком. Поэкспериментировав, они сделали вывод, что люди гораздо хуже помнят то, что было ими сфотографировано.

Учёные из Университета Южной Калифорнии разработали методику, позволяющую повысить кратковременную память у людей, страдающих нейродегенеративными заболеваниями. В среднем эффективность памяти повышается на 37%.

Когда воспоминания записываются в мозге, между нейронами образуются связи. Сотрудники Калифорнийского университета, расположенного в Дейвисе, выяснили, каким образом эти связи можно ослабить или укрепить на уровне молекул.

По заявлению компании Samsung, недавно в серию запущено производство флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объёмом — 512 ГБ. Это первый накопитель формата eUFS с таким большим объёмом памяти. Технологический гигант заверил, что новинка будет использована в смартфонах и планшетах следующего поколения.

В жизни почти каждого человека бывают стрессовые ситуации, надолго оставляющие по себе тревожную память и даже вызывающие определенные болезни, требующие обращения к специалисту. Выяснением причин этого и занялись американские ученые двух университетов (Колумбийского и Макгилла). Они обнаружили 2 различных типа памяти, на которые можно будет воздействовать.

Южнокорейский производитель Samsung заявил о начале массового производства чипов памяти LPDDR4 с плотностью 12 Гигабит, что является рекордом на сегодняшний день. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм, что даст возможность создавать микросхемы на 6 ГБ для мобильных устройств, так что появление смартфонов с 6 ГБ оперативной памяти уже не за горами. Для получения такого объёма необходимо объединить четыре 12-Гбитных чипа. По своим габаритам новая микросхема сопоставима с нынешней на 3 ГБ.

Компания Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трехмерных ячеек памяти. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015-го года. Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить ёмкость памяти, улучшить надёжность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.

Выпустив свой новый флагман Galaxy S6 компания Samsung многих обидела отсутствием в нём слота для карты памяти и относительно маленьким несъёмным аккумулятором. Компания Incipio решила исправить ситуацию выпустив аксессуар решающий сразу обе проблемы. Incipio offGRID совместим с Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge и имеет встроенный аккумулятор ёмкостью 3 700 мАч, а также слот для карты памяти microSD объёмом до 128 ГБ. Единственный минус - это увеличение толщины смартфона почти вдвое. Оценили Incipio offGRID в $90.

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix - производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.