• Китайские учёные показали концепт лунной космической базы (видео)

    Национальное космическое управление Китая (CNSA) представило концепт своей лунной базы. В ролике фигурируют посадочный модуль и марсоход, а также площадка для запуска орбитальных спутников. В этот проект ведомство намерено инвестировать на протяжении следующих нескольких десятилетий.
    Читать дальше
  • Caviar анонсировала позолоченный электровелосипед за 4 миллиона рублей (4 фото)

    Компания Caviar, обычно специализирующаяся на моддинге флагманских смартфонов, анонсировала новый необычный продукт. Им стал электровелосипед Herzog — кастомная версия модели Porsche eBike Cross 3rd Gen с отделкой из золота и соответствующей розничной ценой.
    Читать дальше
  • Купленный в Китае процессор Intel Core i9-14900K оказался без кристалла внутри

    Издание HKEPC делится печальной историей известного оверклокера Safedisk, который стал жертвой китайского мошенника, купив не рабочий Intel Core i9-14900K.
    Читать дальше
  • Tesla уволила почти всю команду по зарядным станциям Supercharger

    Успеху электромобилей на домашнем рынке США в значительной степени способствовала высокая скорость появления фирменных зарядных станций Supercharger. Их широкое распространение привело к тому, что прочие автопроизводители почти в полном составе решили перейти на разъём Tesla NACS. Однако недавно стало известно о решении Tesla сократить по...
    Читать дальше
  • Характеристики кнопочного Nokia 3210 2024 раскрыты до официального анонса (4 фото)

    Роланд Квандт рассказал о новом кнопочном телефоне, который выйдет под брендом Nokia. Он опубликовал подробные характеристики и серию качественных рендеров Nokia 3210 (2024) незадолго до официальной премьеры.
    Читать дальше

Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

6 декабря 2017 | Просмотров: 13 208 | Samsung Galaxy S9 смартфон память карта памяти планшет
Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

По заявлению компании Samsung, недавно в серию запущено производство флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объёмом — 512 ГБ. Это первый накопитель формата eUFS с таким большим объёмом памяти. Технологический гигант заверил, что новинка будет использована в смартфонах и планшетах следующего поколения.

Ученые научились стирать воспоминания

30 июня 2017 | Просмотров: 10 375 | воспоминания медицина интересное память
Ученые научились стирать воспоминания

В жизни почти каждого человека бывают стрессовые ситуации, надолго оставляющие по себе тревожную память и даже вызывающие определенные болезни, требующие обращения к специалисту. Выяснением причин этого и занялись американские ученые двух университетов (Колумбийского и Макгилла). Они обнаружили 2 различных типа памяти, на которые можно будет воздействовать.

Samsung запустила производство 12-гигабитной памяти LPDDR4 для гаджетов

9 сентября 2015 | Просмотров: 8 440 | Samsung память первый в мире LPDDR4
Samsung запустила производство 12-гигабитной памяти LPDDR4 для гаджетов

Южнокорейский производитель Samsung заявил о начале массового производства чипов памяти LPDDR4 с плотностью 12 Гигабит, что является рекордом на сегодняшний день. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм, что даст возможность создавать микросхемы на 6 ГБ для мобильных устройств, так что появление смартфонов с 6 ГБ оперативной памяти уже не за горами. Для получения такого объёма необходимо объединить четыре 12-Гбитных чипа. По своим габаритам новая микросхема сопоставима с нынешней на 3 ГБ.

Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH ёмкостью 256 Гбит

5 августа 2015 | Просмотров: 8 430 | Toshiba память чип
Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH ёмкостью 256 Гбит

Компания Toshiba представила новое поколение чипов BiCS FLASH на основе трехмерных ячеек памяти. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в каждой ячейке. Поставки образцов начнутся в сентябре 2015-го года. Чипы BiCS FLASH создаются на основе продвинутого процесса 48-слойной упаковки, что позволяет значительно увеличить ёмкость памяти, улучшить надёжность чтения и записи, а также увеличить скорость работы по сравнению с двумерной памятью NAND Flash. Новые 256-гигабитные чипы подходят для самых разных устройств — накопителей SSD, смартфонов, планшетных компьютеров и карт памяти, а также корпоративных SSD для дата-центров.

Дополнительный аккумулятор и карта памяти для Galaxy S6 (9 фото)

20 июля 2015 | Просмотров: 29 535 | аксессуар чехол аккумулятор память MicroSD Samsung Galaxy S6
Дополнительный аккумулятор и карта памяти для Galaxy S6 (9 фото)

Выпустив свой новый флагман Galaxy S6 компания Samsung многих обидела отсутствием в нём слота для карты памяти и относительно маленьким несъёмным аккумулятором. Компания Incipio решила исправить ситуацию выпустив аксессуар решающий сразу обе проблемы. Incipio offGRID совместим с Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge и имеет встроенный аккумулятор ёмкостью 3 700 мАч, а также слот для карты памяти microSD объёмом до 128 ГБ. Единственный минус - это увеличение толщины смартфона почти вдвое. Оценили Incipio offGRID в $90.

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

27 марта 2015 | Просмотров: 11 828 | Intel память
Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Память LPDDR4 начали устанавливать в смартфоны

11 февраля 2015 | Просмотров: 14 380 | LPDDR4 память смартфон
Память LPDDR4 начали устанавливать в смартфоны

Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix - производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.

Питерский памятник Стиву Джобсу продали за 10 миллионов рублей

11 декабря 2014 | Просмотров: 8 728 | Стив Джобс память iPhone Россия Аукцион
Питерский памятник Стиву Джобсу продали за 10 миллионов рублей

Памятник Стиву Джобсу, который был установлен в технопарке Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО) и некоторое время назад демонтирован в связи с необходимостью в ремонте, как оказалось, не будет возвращён на место. Компания ЗЕФС, по инициативе и на средства которой он создавался, сообщает, что после реставрации монумент был выставлен на аукцион, который завершился в среду, 10 декабря. По условиям договора, подробности сделки и имена её участников будут названы только в начале следующего года, однако известна ставка победителя торгов: она составила 10 миллионов рублей. Все вырученные средства будут направлены на гранты молодым российским IT-разработчикам.

Oppo U3: смартфон с хорошими "мозгами" и плохой памятью (2 фото)

7 ноября 2014 | Просмотров: 14 000 | смартфон Oppo U3 Oppo Android 4.4 память
Oppo U3: смартфон с хорошими "мозгами" и плохой памятью (2 фото)

Сегодня в Сети появилась информация об очередном смартфоне компании Oppo. Новинка получила название Oppo U3, а её характеристики выглядят следующим образом: 4.6-дюймовый экран с разрешением 1920x1080 пикселей, 8-ядерный процессор MediaTek MT6752 с частотой 1.7 ГГц, графический чип Mali-T760, 2 ГБ ОЗУ, всего 1.1 ГБ постоянной памяти, 4.7 МП фронтальная и 12 МП основная камеры, а операционной системой станет Android 4.4.4 KitKat. Несмотря на очень скромный объём памяти смартфона, данных о наличии слота для microSD пока нет. Смартфон может появиться в продаже до конца текущего года.

Dell анонсировала новые системы хранения данных EqualLogic

28 февраля 2012 | Просмотров: 14 208 | Dell память
Dell анонсировала новые системы хранения данных EqualLogic

Dell накануне анонсировала новое поколение своих массивов для хранения информации, получивших поддержку 10-гигабитных Ethernet-каналов. Оба представленных новых решения Dell PS6110 и PS4110 поддерживают протокол iSCSI, позволяющий использовать преимущества традиционных локальных сетей для сохранения трафика. Также компания анонсировала обновленный набор программного обеспечения Equallogic Host Integration для Windows Server 2008 и Linux, позволяющий делать снимки массивов данных на серверах и кластерах, чтобы потом иметь возможность быстрого восстановления информации.

IBM показала прототип новой памяти Racetrack Memory

6 декабря 2011 | Просмотров: 22 423 | IBM память прототип
IBM показала прототип новой памяти Racetrack Memory

Корпорация IBM сегодня сообщила о производстве прототипа новой энергонезависимой памяти, которая будет работать значительно быстрее существующих сейчас аналогов. Новинка, получившая название Racetrack Memory, во многом использует те же технологии, что нынешние кремниевые чипы. Благодаря тому, что новая память работает не с электрическим током, как сейчас, а с технологией магнитного взаимодействия, емкость портативных плееров может увеличиться до 6-7 терабайт и на них можно будет хранить десятки фильмов в сверхвысоком качестве или сотни тысяч музыкальных файлов. Чипы памяти, создаваемые в IBM, оперируют почти неуловимыми магнитными полями для сохранения данных в цифровом варианте. В статье, опубликованной в научном журнале Science, группа разработчиков из лаборатории корпорации в Калифорнии отмечает, что им удалось создать рабочий прототип микроскопических магнитных блоков, из которых будут состоять будущие чипы памяти.
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.