Графическая память с двойной скоростью передачи данных — Graphics Double Data Rate или GDDR — является важнейшим компонентом высокопроизводительных устройств, особенно в секторах графики и ИИ. Новейшим этапом развития технологии является память стандарта GDDR7. В программе февральской Международной конференции по твердотельным схемам IEEE 2024 Samsung расскажет о «DRAM GDDR7 16 Гбит, 37 Гбит/с с оптимизированной PAM3 коррекцией TRX и калибровкой ZQ».

Компания Changxin Memory Technologies (CXMT) является лидером китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM, и на этой неделе стало известно не только о её прорыве в технологической сфере, но и намерениях привлечь инвестиции вместо IPO, которое откладывается. Привлечение средств будет происходить на фоне оценки капитализации CXMT в $19,5 млрд.

Профессор Манус Хейн из Ланкастерского университета изобрёл технологию памяти ULTRARAM, которая способна хранить данные более 1000 лет и потребляет меньше энергии, чем DRAM. В будущем такую память намерена выпускать компания Quinas, но уже сейчас она получила премию на конференции Flash Memory Summit за инновационную разработку.

Team Group представила новую промышленную карту памяти — 5600 DDR5.

На протяжении трех кварталов 2021 года цены на комплектующие детали для компьютеров непрерывно росли. Затронула эта тенденция и оперативную память DRAM, контрактные цены на которую возрастали с начала года. Однако, по информации аналитической фирмы TrendForce, уже в четвертом квартале текущего года цены на DRAM могут снизиться на 3-8%. Тенденция снижения цены оперативной памяти продлится и в 2022 году.

Компания Samsung объявила о разработке нового стандарта оперативной памяти DDR5, поддерживающей интерфейс CXL и имеющей объем до 1 ТБ. На первом этапе новые модули памяти будут использоваться в дата-центрах, ориентированных на выполнение задач, связанных с высокоскоростными операциями (HPC) и расчетами производимыми на основе искусственного интеллекта.

Разработчики компьютерного оборудования уделяют особое внимание расширению объемов памяти устройств и обеспечению оптимальной скорости передачи данных. Компания IBM, признанный лидер среди разработчиков компьютерного оборудования на очередной конференции Hot Chips в Калифорнии продемонстрировала новый интерфейс памяти Open Memory Interface (OMI), являющийся прямой альтернативой DDR-памяти. Основными достоинствами нового формата памяти становятся увеличенная пропускная способность и повышенный объем памяти.

Для абсолютно всех пользователей компьютеров важным моментом является эффективное потребление оперативной памяти. Нововведение в браузере Chrome позволит снижать использование оперативной памяти, однако на первом этапе эту опцию придётся включать вручную. В дальнейшем такая функция будет работать в автоматическом режиме, а в настоящее время доступна лишь для разработчиков.

На выставке Consumer Electronics Show 2019 тайваньская компания Etron Technology показала совершенно новую архитектуру оперативной памяти под названием RPC DRAM (RPC — Reduced Pin Count, DRAM — Dynamic Random-Access Memory), которая характеризуется меньшим количеством контактов, при этом производительность схожа с DDR4.

В следующем году южнокорейский производитель Samsung выпустит несколько новинок. Помимо новых смартфонов и, возможно, ноутбуков со складным дисплеем, Samsung готовит пакет продуктов Unified File Storage (UFS) 3.0 и новую память.

Известность компании Samsung принесла, в основном, потребительская электроника - телевизоры, мониторы, смартфоны и так далее. Однако, она так же занимается разработкой и производством различных электронных модулей, которые используются в устройствах самой компании, её партнёрами и даже конкурентами. Очередной новинкой, представленной корейской корпорацией стали модули оперативной памяти LPDDR4 объёмом 4 ГБ, производство которых начнётся уже в ближайшие дни. Скорость их работы составляет 3200 Мбит/с, а потребляемая мощность на 40% ниже, чем у предыдущего поколения. Разработчики уверяют, что данные модули поддерживают обработку видео в формате UltraHD в реальном времени, а так же позволяют вести серийную фотосъёмку в разрешениях, превышающих 20 МП. Похоже, что продажи LPDDR4 стартуют уже в начале следующего года, поэтому не исключено, что Galaxy S6 станет первым устройством, получившим 4 ГБ ОЗУ нового поколения.