Производители процессоров научились интегрировать микросхемы памяти на одну подложку с вычислительными блоками, а иногда даже и на кристалл с ними, но передовые разработки в этой сфере подразумевают использование тончайшего слоя памяти типа NOR, который может накладываться на обычную интегральную кремниевую микросхему.

Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.

Компания Micron выпустила OEM-накопители Micron 2600 на базе памяти NAND QLC для производителей ПК и ноутбуков, оснащённые технологией Adaptive Write Technology (AWT), обеспечивающей им уровень производительность более дорогих моделей SSD на базе памяти TLC.

По данным TrendForce, поставщики флеш-памяти NAND начали сокращать объёмы производства в IV квартале 2024 года, и теперь эти меры начинают приносить эффект. В ожидании повышения пошлин в США производители потребительской электроники нарастили объёмы выпуска, что дополнительно усилило спрос. Одновременно в сегментах ПК, смартфонов и дата-центров происходит восстановление складских запасов. В результате во II квартале 2025 года ожидается стабилизация цен на флеш-память NAND и рост контрактных цен на кремниевые пластины и клиентские твердотельные накопители (SSD).

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

Эксперты TrendForce при к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Первоначально AMD пыталась продвигать память HBM в сегменте игровых видеокарт, но больше всего эта память пригодилась конкурирующей Nvidia при создании ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Китай до сих пор не мог выпускать память такого класса, но недавно появились свидетельства того, что местные компании серьёзно продвинулись в этой сфере.

Для расширения границ возможностей микроэлектроники для растущих запросов человечества нужны новые компоненты, способные работать как при экстремально низких температурах, так и при экстремально высоких. В первом случае открывается возможность сопряжения классических компьютеров и квантовых платформ. Во втором — появляется путь к работе на экстремальных глубинах, на гиперзвуке и в космосе, например, в системах управления двигателями ракет.

Ещё в 2022 году южнокорейская компания SK hynix выразила намерения вложить в локализацию производства памяти в США около $15 млрд. Ппрошедший 2023 год подчеркнул важность доступа крупных клиентов компании к передовой памяти HBM, а потому источники The Wall Street Journal сообщили, что SK hynix собирается потратить $4 млрд на строительство предприятия в штате Индиана.

Физики из Австралийского национального университета (ANU) придумали простой экспресс-тест, выявляющий белковые маркеры, предвещающие болезнь Альцгеймера. По их заявлениям, положительные результаты позволяют спрогнозировать недуг аж за 20 лет до проявления симптомов.

Профессор Манус Хейн из Ланкастерского университета изобрёл технологию памяти ULTRARAM, которая способна хранить данные более 1000 лет и потребляет меньше энергии, чем DRAM. В будущем такую память намерена выпускать компания Quinas, но уже сейчас она получила премию на конференции Flash Memory Summit за инновационную разработку.