• Учёные напечатали ткань для одежды будущего — она охлаждает тело и вырабатывает электричество

    Носимые умные устройства в наши дни предлагаются в довольно концентрированном по объёму виде, но прогресс в сфере нанотехнологий приведёт к тому, что определёнными функциями с точки зрения информационных технологий обзаведётся и наша одежда. Например, учёным из Иллинойского университета удалось разработать печатаемую на 3D-принтере ткань,...
    Читать дальше
  • Honda превращает мотоцикл в электровелосипед — футуристичный e-MTB выйдет на рынок в 2027 году (3 фото + видео)

    Японская компания Honda выходит на рынок высокотехнологичного транспорта для активного отдыха. На выставке Sea Otter Europe компания представила концепт горного электровелосипеда (e-MTB), который уже близок к серийному производству. По словам представителя Honda, цель этого концепта — подарить «новые ощущения от езды, сочетающие в себе уд...
    Читать дальше
  • UGREEN X766 200W - одна зарядка для ноутбука, смартфонов и всей мелочёвки на столе

    Настольная GaN-станция на восемь портов обещает заменить сразу несколько блоков питания. Разбираемся, как устроено распределение 200 Вт и что получается в реальном использовании.
    Читать дальше
  • Два новых смартфона от Redmi вышли на российские маркетплейсы

    Разберем главные сходства и отличия Redmi Note 17 Pro 5G и Redmi Note 17 Pro Max 5G.
    Читать дальше
  • Китай добился рекордных 100 млн термоядерных реакций в секунду — водород и бор приближают экологичный термояд

    Китайская компания ENN Group сообщила о получении на экспериментальном сферическом токамаке EXL-50U термоядерных реакций с использованием водородно-борного топлива. По данным компании, впервые частный разработчик смог самостоятельно запустить такую реакцию, причём её интенсивность превысила 100 млн реакций в секунду. Результаты эксперимен...
    Читать дальше

Инженеры уложили HBM на бок — память стала быстрее, холоднее и вместительнее

13 июля 2026 | Просмотров: 1 358 | HBM память эксперимент

Инженеры предложили новый способ наращивания памяти для ускорителей ИИ и графических процессоров: вместо укладки кристаллов DRAM привычной «башней», как в HBM, их предлагается устанавливать на ребро, превращая массив памяти в объёмный блок из кремниевых пластин. Это сразу решает несколько проблем масштабирования памяти: увеличивает пропускную способность и ёмкость, а также позволяет избежать роста тепловыделения.

Китайские компании научились создавать память HBM — запуск производства ожидается в 2026 году

21 мая 2024 | Просмотров: 5 443 | HBM чип память Китай технологии накопитель

Первоначально AMD пыталась продвигать память HBM в сегменте игровых видеокарт, но больше всего эта память пригодилась конкурирующей Nvidia при создании ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Китай до сих пор не мог выпускать память такого класса, но недавно появились свидетельства того, что местные компании серьёзно продвинулись в этой сфере.
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.