• Смартфон POCO X8 - выгода и автономность в одном устройстве

    Глобальная версия смартфона уже доступна на Wildberries и Яндекс Маркете.Большой экран, мощный аккумулятор, защита от падений и воды, камера с оптической стабилизацией и производительный Snapdragon.
    Читать дальше
  • Экс-дизайнер Apple и Google сделал бесплатный «фотошоп» весом всего 13 МБ (3 фото)

    Бывший дизайнер Apple и Google Робби Тилтон представил Compositor — бесплатный графический редактор с открытым исходным кодом. Автор задался целью сделать альтернативу Photoshop и GIMP. Программа ориентирована прежде всего на работу со слоями, композитинг и постобработку изображений.
    Читать дальше
  • Один из главных секретов PlayStation 2 раскрыли спустя 26 лет

    Оригинальная PlayStation 2 вновь оказалась на слуху благодаря работе энтузиаста DiscoStarslayer. После четырёх лет исследований ему удалось разобраться в одном из последних малоизученных элементов консоли.
    Читать дальше
  • Создан самый компактный в мире КТ-сканер

    Китайские исследователи разработали миниатюрный КТ-сканер, предназначенный для изучения небольших окаменелостей и археологических находок. Прототип под названием Xtomo-Cube и рассчитан на использование там, где обычное медицинское оборудование установить невозможно.
    Читать дальше
  • iPhone 18 Pro Max сравнили с другими флагманами по автономности (3 фото + видео)

    Портал TechDroider провёл тест автономности актуальных флагманов, в котором новый iPhone 18 Pro Max столкнули с Samsung Galaxy S26 Ultra, Google Pixel 11 Pro XL, Xiaomi 17 Pro Max, OnePlus 15 и прошлогодним iPhone 17 Pro Max. Результаты получились весьма неоднозначными.
    Читать дальше

Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

6 декабря 2017 | Просмотров: 15 525 | Android / Смартфоны
Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

По заявлению компании Samsung, недавно в серию запущено производство флеш-памяти Universal Flash Storage (eUFS) с рекордным объёмом — 512 ГБ. Это первый накопитель формата eUFS с таким большим объёмом памяти. Технологический гигант заверил, что новинка будет использована в смартфонах и планшетах следующего поколения.

Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

В конструкции флеш-памяти использованы восемь 64-слойных чипов V-NAND на 512 ГБ с контроллером, размещённые в корпусе eUFS, по размерам аналогичным накопителю с объёмом 256 ГБ. Считывается информация с накопителя со скоростью 860 МБ/с, а запись осуществляется со скоростью 255 МБ/с. Такая скорость позволит передавать 5 ГБ ролик за 6 секунд, что в 8 раз больше трансляции с обычной карты памяти microSD. Такой большой объём памяти позволит хранить в устройстве почти 130 видеофайлов в формате 4К, длительностью 10 мин.

Samsung Galaxy S9 может получить новый объем памяти (3 фото)

В планы компании Samsung входит расширение производства накопителей как на 512 ГБ, так и на 256 ГБ. Новые флеш-накопители, предназначенные для следующих серий смартфонов, вероятнее всего и будут представлены в модели Galaxy S9, который получит экран в 5.77 дюймов и новый топовый чип Snapdragon 845. В то же время до сих пор Samsung не удостаивал свои смартфоны большим объёмом встроенной памяти. Модели Galaxy S8 и Galaxy S8+ получили только 64- и 128-гигабайтные накопители, а Galaxy Note 8 на 256 ГБ официально есть в продаже только в в некоторых странах.

Источник: Samsung

Комментарии: 3

  1. Гость_Serg
    6 декабря 2017 10:35 Гость_Serg
    Верится с трудом, что в S9 и S9+ Самсунг поставит емкие накопители. К S9 так вообще всегда отношение снисходительное у производителя
    + 1 −
    Ответить
  2. 7eleven
    6 декабря 2017 12:08 7eleven
    В смартфоны не будет Samsung старить такие карты, в планшеты - да.
    + -1 −
    Ответить
  3. Гость_Canon
    7 декабря 2017 12:37 Гость_Canon
    Выпуск самих карт радует, но какова будет цена устройства с таким накопителем и прочими топовыми элементами? (я про смартфон). Самсунгу не стоило бы идти путем Apple. Последнее их достижение не особо радует эпплофилов.
    + 1 −
    Ответить
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.