• Мошенники воруют деньги с карт без подтверждающего СМС-кода (4 фото)

    Российские мошенники освоили новую методику хищения средств у сограждан. Они пошли намного дальше ставших привычными обзвонов с представлением сотрудниками служб поддержки, банков или органов правопорядка и соцподдержки. Очередную потерпевшую даже не попросили выслать код из СМС. Она лишилась денег, просто беседуя со своего iPhone.
    Читать дальше
  • Робот устроил диверсию на складе Amazon. Есть пострадавшие (3 фото + видео)

    Несколько дней назад на складе Amazon в США произошёл несчастный случай, где 24 сотрудника были госпитализированы, и его спровоцировал робот.
    Читать дальше
  • Учёные изобрели новый вариант хранения энергии солнца и ветра (3 фото)

    Одной из самых больших практических проблем, связанных с использованием возобновляемых источников энергии, является вопрос о том, как её хранить. Учёные Массачусетского технологического института разработали концепцию того, что они называют «солнцем в коробке».
    Читать дальше
  • Honor первым анонсировал смартфон с «дырявым» экраном и 48-Мп камерой (10 фото)

    Желание быть "первым" подтолкнуло компанию Honor (бренд принадлежит Huawei) в срочном порядке провести анонс нового смартфона Honor View 20, на лицевой стороне которого красуется неоднозначный тренд следующего года — экран с «дыркой» под фронтальную камеру. И более ожидаемый — 48-мегапиксельная камера с сенсором Sony IMX586.
    Читать дальше
  • Австралийцы подвели итоги по работе «большой батареи» Tesla (3 фото)

    Не так давно свой первый день рождения отметило литий-ионное энергетическое хранилище Tesla на 100 МВт/129 МВт*ч, установленное в Австралии. К этому событию эксперты приурочили подведение первых итогов использования самой большой на планете «батарейки».
    Читать дальше

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

27 марта 2015 | Железо
Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

Технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Так как более высокая емкость обеспечивается за счёт установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся этой весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV квартал этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.
Понравился пост? Просоединяйтесь к нам в Facebook!

Написать комментарий


Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код


Комментарии: 2

avatar
27 марта 2015 17:54 totoro
Хорошая новость, поскорее бы реализовали на картах памяти, а то 5 минут записи видео 4К больше 1 ГБ памяти занимает - это же ненормально. Да, и современные фотографии немало "весят".
+ 0
Ответить
avatar
30 марта 2015 16:55 Гость_1111
Вот уж, действительно, современные флагманы умеют снимать видео в FullHD, которое занимает очень много места. 4к вообще всю память "съедает". И вот зачем тогда нужна возможность съёмки таких видео, если по факту их хранить не на чем? Взять к примеру новый Galaxy S6 с 32 ГБ - это разве много??? А новую карту памяти с большим объёмом в телефон не вставишь. Фотографии по 12-20 Мп тоже не мало весят.
Ну, а если захочется любимую музыку в смартфон добавить (пусть даже с соц.сети, но с сохранением на карту памяти, чтобы телефон поменьше трафика сжирал) или видео?
+ 0
Ответить
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.