Компания Samsung объявила о разработке нового стандарта оперативной памяти DDR5, поддерживающей интерфейс CXL и имеющей объем до 1 ТБ. На первом этапе новые модули памяти будут использоваться в дата-центрах, ориентированных на выполнение задач, связанных с высокоскоростными операциями (HPC) и расчетами производимыми на основе искусственного интеллекта.

Разработчики компьютерного оборудования уделяют особое внимание расширению объемов памяти устройств и обеспечению оптимальной скорости передачи данных. Компания IBM, признанный лидер среди разработчиков компьютерного оборудования на очередной конференции Hot Chips в Калифорнии продемонстрировала новый интерфейс памяти Open Memory Interface (OMI), являющийся прямой альтернативой DDR-памяти. Основными достоинствами нового формата памяти становятся увеличенная пропускная способность и повышенный объем памяти.

Для абсолютно всех пользователей компьютеров важным моментом является эффективное потребление оперативной памяти. Нововведение в браузере Chrome позволит снижать использование оперативной памяти, однако на первом этапе эту опцию придётся включать вручную. В дальнейшем такая функция будет работать в автоматическом режиме, а в настоящее время доступна лишь для разработчиков.

На выставке Consumer Electronics Show 2019 тайваньская компания Etron Technology показала совершенно новую архитектуру оперативной памяти под названием RPC DRAM (RPC — Reduced Pin Count, DRAM — Dynamic Random-Access Memory), которая характеризуется меньшим количеством контактов, при этом производительность схожа с DDR4.

В следующем году южнокорейский производитель Samsung выпустит несколько новинок. Помимо новых смартфонов и, возможно, ноутбуков со складным дисплеем, Samsung готовит пакет продуктов Unified File Storage (UFS) 3.0 и новую память.

Известность компании Samsung принесла, в основном, потребительская электроника - телевизоры, мониторы, смартфоны и так далее. Однако, она так же занимается разработкой и производством различных электронных модулей, которые используются в устройствах самой компании, её партнёрами и даже конкурентами. Очередной новинкой, представленной корейской корпорацией стали модули оперативной памяти LPDDR4 объёмом 4 ГБ, производство которых начнётся уже в ближайшие дни. Скорость их работы составляет 3200 Мбит/с, а потребляемая мощность на 40% ниже, чем у предыдущего поколения. Разработчики уверяют, что данные модули поддерживают обработку видео в формате UltraHD в реальном времени, а так же позволяют вести серийную фотосъёмку в разрешениях, превышающих 20 МП. Похоже, что продажи LPDDR4 стартуют уже в начале следующего года, поэтому не исключено, что Galaxy S6 станет первым устройством, получившим 4 ГБ ОЗУ нового поколения.

Если вы собираетесь приобрести одну из новых моделей Mac Mini, то имейте ввиду, что самостоятельная замена модулей оперативной памяти окажется невозможной, так как они припаяны к системной плате. При выборе варианта устройства в Apple Store, можно задать желаемые параметры системы, при этом установка 16 ГБ ОЗУ обойдётся в $200 для более мощных моделей и в $300 - для простейшей. Именно такая ценовая политика и позволила установить минимальную планку стоимости Mac Mini на $499. Тем не менее, если ключевым параметром для вас является не высокая производительность, а объём памяти для хранения информации, а выбор делается только в пользу Mac Mini, то заметить жесткий диск можно самостоятельно, что, правда, нарушит условия гарантии.

Среди файлов операционной системы iOS 8.1 были обнаружены изображения, имеющие разрешение выше, чем то, которое используется существующими устройствами. Подобная находка сразу вызвала предположение о том, что новое поколение iPad получит еще более чёткие дисплеи. Дополнительным поводом для подобного заключения стал тот факт, что уже на протяжении нескольких лет этот параметр оставался практически неизменным у планшетов Apple. С другой стороны, некоторые элементы графического интерфейса могли быть введены исключительно в тестовых целях. Кроме того, различные источники сообщают, что объём оперативной памяти в новом поколении iPad может увеличиться до 2 ГБ. Похоже, фанатам яблочной компании будет, что обсудить в оставшиеся до презентации дни.

В Сети появилась новая информация о iPhone 6. В этот раз сообщается, что одним из модулей смартфона станет модем Qualcomm MDM9625, а это значит, что новинка получит поддержку сетей LTE-A (LTE Advanced), скорость загрузки данных из которых составляет до 150 Мб в секунду. Кроме того, различные источники обсуждают довольно неожиданный слух, согласно которому флагман компании Apple получит всего 1 ГБ оперативной памяти. Возможно, для полноценной работы iOS 8 и всех приложений окажется достаточно процессора A8 со столь небольшим по современным меркам объемом ОЗУ, однако, на фоне конкурентов подобная "особенность" будет выглядеть, по меньшей мере, странно.

На полках японских магазинов появились первые модули оперативной памяти DDR4. Они были произведены компанией SanMax на основе микрочипов SKHynix и продаются по цене $350 за 16 ГБ и $685 за 32 ГБ. Их частота составляет 2133 МГц, что обеспечивает пропускную способность в 17064 Мегабайт/c. По сравнению с DDR3, почти на 50% увеличится быстродействие и надежность модулей, а так же улучшится энергоэффективность: требуемое напряжение снизится с 1.35 В до 1.2 В. Оценить возможности DDR4 можно будет лишь с выпуском нового чипсета Intel X99 и процессоров Haswell-E, которые появятся в продаже не раньше сентября.

Современным стандартом оперативной памяти в персональных компьютерах и ноутбуках является DDR3, но ему на смену в ближайшее время придет следующее поколение модулей - DDR4. До недавних пор лимитом памяти для модулей последнего поколения были 64 ГБ, но компания Hynix заявила, что создала первый в мире модуль DDR4 с объемом памяти 128 ГБ. Устройство изготовлено по 20 нм технологии и может обрабатывать до 17 ГБ данных в секунду, а для его работы требуется всего 1.2 В (для DDR3 обычно необходимо 1.5 В). Коммерческое производство модулей должно начаться в первой половине 2015 года.