Samsung разработала модуль оперативной памяти DDR5 объемом 1 ТБ

Компания Samsung объявила о разработке нового стандарта оперативной памяти DDR5, поддерживающей интерфейс CXL и имеющей объем до 1 ТБ. На первом этапе новые модули памяти будут использоваться в дата-центрах, ориентированных на выполнение задач, связанных с высокоскоростными операциями (HPC) и расчетами производимыми на основе искусственного интеллекта.

В официальном пресс-релизе компании Samsung сообщается, что модуль памяти, поддерживающий новый стандарт Compute Express Link (CXL), интегрирован с технологией Double Data Rate 5 (DDR5). Нововведение увеличит пропускную способность серверных систем, обеспечит ускорение обработки данных искусственного интеллекта (AI) и высокопроизводительных вычислений (HPC) в центрах обработки данных. При этом CXL при подключении на основе интерфейса PCI Express (PCIe) 5.0 обеспечивает между устройствами высокоскоростную связь с малой задержкой.


Также Samsung сообщает о создании новых технологических решений для контроллеров и программного обеспечения, позволяющих распознавать новый тип памяти процессорам и видеокартам. На сегодня уже проведены тестовые испытания модуля оперативной памяти DDR5 на серверах Intel.

Компания AMD также проявила желание участвовать в работе Samsung над следующим поколением оперативной памяти, «повышающей производительность в облачных и корпоративных исследованиях».