Найден новый способ «уплотнения» чипов без смены техпроцесса
Команда исследователей Samsung Electronics совместно с американскими технологическими университетами нашла альтернативный способ увеличения плотности транзисторов на одном кристалле. Учёные разработали метод, позволяющий размещать дополнительный слой микросхем на уже готовом чипе.