Компании Adata и MSI представили на выставке CES 2026 первые в мире 4-ранговые модули памяти DDR5 формата CUDIMM объёмом по 128 Гбайт — обычно число рангов вдвое меньше. Это решение помогло Adata удвоить количество чипов DRAM на планке, а с ним и объём памяти, пишет Overclock3D.

В текущем году предпосылок для облегчения ситуации с дефицитом микросхем памяти не ожидается, как убеждены аналитики KeyBanc. На этом фоне производители ПК и смартфонов будут ощущать сильнейшую нехватку чипов памяти. Фактически, им будет доставаться не более 20–45 % необходимых объёмов памяти, а цены на смартфоны вырастут.

Цены на DDR5 растут активнее, чем на DDR4, поскольку это более востребованный в серверном сегменте товар, хотя сокращение объёмов выпуска последней тоже сказывается на её стоимости. Представители AMD признались на CES 2026, что компанию посещает идея возвращения на рынок процессоров в исполнении Socket AM4 на фоне дефицита памяти.

Компания Nemix из США, специализирующаяся на поставках памяти и накопителей для крупных технологических компаний и государственных структур, представила комплект оперативной памяти DDR5 общей ёмкостью 4 Тбайт. Набор состоит из 16 модулей ECC RDIMM по 256 Гбайт каждый, работающих на частоте 6400 МТ/с с CAS-латентностью 52 и при этом потребляющих всего 1,1 В напряжения. Однако внушительная цена комплекта делает его уделом высокобюджетных гиперскейлеров и энтузиастов экстремальных рабочих станций, где критически важны как объём памяти, так и её надёжность.

SPhotonix сообщила, что вывела свою так называемую технологию «5D-кристаллов памяти» из лаборатории и планирует пилотное внедрение этих систем хранения холодных данных в ЦОД в течение следующих двух лет. «Кристаллы памяти» обеспечивают запись 360 Тбайт данных на 5-дюймовый стеклянный диск с помощью фемтосекундного лазера. Компания обещает до 13,8 млрд лет хранения информации, что примерно соответствует возрасту Вселенной.

Последние отчёты аналитической компании TrendForce показывают, что цены на память продолжат быстрый рост в первом квартале 2026 года. Это окажет значительное давление на затраты мировых производителей потребительских устройств. Они будут вынуждены повышать цены на свою продукцию и ухудшать технические характеристики. Дальнейшее снижение поставок кажется неизбежным, поскольку рыночные ресурсы все больше концентрируются в руках нескольких ведущих брендов.

Похоже, ситуация на рынке памяти может оказаться хуже, чем казалось на первый взгляд. По данным инсайдера Moore’s Law Is Dead, OpenAI якобы активно скупает не только серверную DRAM, но и обычные потребительские DDR5-наборы, включая модели, рассчитанные на геймеров. Источники утверждают, что сотрудники компании лично заходят в розничные магазины и пытаются забрать всё, что лежит на полках.

Издания TrendForce и Calian Press продолжают анализировать влияние бума ИИ на сегмент смартфонов с точки зрения роста цен на микросхемы памяти. Поскольку многие недорогие модели смартфонов всё ещё полагаются на память поколения DDR4x или более старую, резкий рост цен на неё больно ударит именно по устройствам начальной ценовой категории.

Производители памяти в целом хорошо зарабатывают в условиях бума ИИ, а SK hynix ещё и остаётся главным поставщиком микросхем типа HBM, поэтому её квартальная отчётность способна порадовать инвесторов. Прошлый квартал характеризовался ростом выручки на 39 % до рекордных $17,13 млрд, операционная прибыль выросла на 62 % до $8 млрд, а ещё компания распродала всю производственную программу памяти на следующий год.

Производители процессоров научились интегрировать микросхемы памяти на одну подложку с вычислительными блоками, а иногда даже и на кристалл с ними, но передовые разработки в этой сфере подразумевают использование тончайшего слоя памяти типа NOR, который может накладываться на обычную интегральную кремниевую микросхему.

Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.