На фоне ограничений со стороны США Китай продолжает наращивать усилия по развитию собственного оборудования для производства полупроводников. Компания Pulin Technology впервые поставила заказчику установку PL-SR для наноимпринтной литографии (NIL) — технологии, которую рассматривают как возможную замену или дополнение к традиционной EUV (фотолитографии в глубоком ультрафиолете).

Пекин перестраивает стратегию масштабных государственных инвестиций, чтобы напрямую устранить ключевые «узкие места» на пути к полному суверенитету в сфере полупроводников. Для этого китайский государственный «Большой фонд» (Big Fund III) потратит около $47,5 млрд в местной валюте. Средства в первую очередь пойдут на разработку собственного литографического оборудования и ПО для проектирования полупроводников.

Переход на более «тонкие» техпроцессы сам по себе уже не способен снижать себестоимость полупроводниковой продукции прежними темпами. TSMC в следующем полугодии приступит к массовому производству 2-нм чипов, и одна кремниевая пластина с ними будет обходиться в $30 000. Дальнейшая миграция на новую литографию поднимет стоимость пластины до $45 000.

В поисках возможностей для производства электронных схем на живых организмах учёные из Датского технического университета (Technical University of Denmark) испытали электронно-лучевую литографию на живых тихоходках — мельчайших организмах со средним размером около 500 мкм. Эта технология создаёт основу для нанесения меток даже на бактерии и открывает путь к созданию датчиков и электронных схем на живой ткани — то есть к настоящему чипированию.

EUV-литографы компании ASML в качестве основы для источника света используют газовые лазеры CO₂. Они достаточно мощные, но при этом громоздкие и малоэффективные по сравнению с твердотельными лазерами. Твердотельные лазеры, в свою очередь, не отличаются высокой мощностью и непригодны для установки в литографы, хотя имеют колоссальные перспективы в этой области. У Китая также появились свои разработки в этой сфере, и они не хуже, чем у других.

На примере китайской полупроводниковой промышленности можно понять, насколько важно наличие собственного оборудования для выпуска чипов в условиях ограниченности доступа к импортному. В России недавно завершились работы по созданию первого отечественного литографа, позволяющего работать с 350-нм технологией.

Китай заявил о значительном прорыве в области кремниевой фотоники для производства полупроводников. Государственная лаборатория JFS в Ухане, являющаяся национальным центром исследований в области фотоники, впервые успешно соединила лазерный источник света с кремниевым чипом. Это достижение, по мнению китайских СМИ, может помочь стране преодолеть существующие технические барьеры в проектировании микросхем и достичь самодостаточности в условиях санкций США.

Компания Intel недавно дала понять, какие новшества планирует использовать после освоения выпуска чипов по техпроцессу Intel 18A в следующем полугодии. К 2026 году ей предстоит внедрить в массовом производстве оборудование с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV), и монтаж первого литографического сканера ASML такого класса уже начался на площадке в Орегоне.

Компания Canon объявила о старте продаж специального оборудования под названием FPA-1200NZ2C. Новая установка, по заявлению производителя, предназначена для печати 5-нм чипов, и использует решение, отличное от сложной технологии литографии.