Процесс переноса изображения с маски на фоточувствительный слой на кремниевой пластине при изготовлении чипов балансирует между качеством и скоростью нанесения рисунка. Ускорить его можно либо повысив мощность излучения, с чем есть проблемы, либо повысив чувствительность фоторезиста, с чем тоже всё не очень хорошо. Исследователи из бельгийского Imec нашли неожиданный вариант по ускорению процесса, который до сих пор почему-то не рассматривался.

Мировой лидер в производстве фотолитографических систем (EUV и DUV) для полупроводниковой промышленности компания ASML совершила прорыв в технологии EUV-литографии и планирует увеличить выпуск чипов на 50 % к 2030 году. Инженеры компании смогли повысить мощность источника света до 1000 ватт, что позволит обрабатывать до 330 кремниевых пластин в час и существенно снизить стоимость производства передовых процессоров.

Японская Canon ещё осенью прошлого года отправила для изучения специалистам Intel первую установку для изготовления прогрессивных чипов методом нанопечати. По замыслу производителя, такая технология позволяет сократить расходы на оборудование при производстве 5-нм чипов и заметно экономить электроэнергию. Компания DNP недавно предложила материал для производства 1,4-нм чипов таким способом.

Китайская компания Hefei Lumiverse Technology представила первый в мире настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения на основе генерации высоких гармоник, который уже используется на производстве для выпуска 14-нм чипов. В отличие от гигантских литографических машин ASML стоимостью более $100 млн и размером с автобус, новое устройство помещается на обычном лабораторном столе и стоит в сотни раз дешевле.

Китай сможет использовать построенное местными компаниями оборудование для производства передовых полупроводников вопреки введённым США санкциям, которые закрыли Пекину доступ к передовым технологиям выпуска чипов, заявили в компании Shenzhen SiCarrier Industry Machines.