Разработчики компьютерного оборудования уделяют особое внимание расширению объемов памяти устройств и обеспечению оптимальной скорости передачи данных. Компания IBM, признанный лидер среди разработчиков компьютерного оборудования на очередной конференции Hot Chips в Калифорнии продемонстрировала новый интерфейс памяти Open Memory Interface (OMI), являющийся прямой альтернативой DDR-памяти. Основными достоинствами нового формата памяти становятся увеличенная пропускная способность и повышенный объем памяти.

Компания ASRock анонсировала выпуск новой материнской платы X99 Extreme 11, которая заинтересует пользователей, работающих с огромным объёмами данных. Ключевой особенностью новинки стало наличие восемнадцати портов SATA. 10 портов имеют интерфейс SATA 3 с пропускной способностью 6 ГБ/сек, а оставшиеся 8 - SAS-3 поддерживают передачу до 12 ГБ/сек. Кроме того, эта новинка имеет 2 порта M.2 для подключении SSD, пять PCIe Gen3 x16, 8 слотов для оперативной памяти DDR4, по 4 порта USB 3.0 и USB 2.0, а так же возможность установки до 4 видеокарт в режиме SLI или CrossFire X. К сожалению, цена ASRock X99 Extreme 11 пока не названа.

На полках японских магазинов появились первые модули оперативной памяти DDR4. Они были произведены компанией SanMax на основе микрочипов SKHynix и продаются по цене $350 за 16 ГБ и $685 за 32 ГБ. Их частота составляет 2133 МГц, что обеспечивает пропускную способность в 17064 Мегабайт/c. По сравнению с DDR3, почти на 50% увеличится быстродействие и надежность модулей, а так же улучшится энергоэффективность: требуемое напряжение снизится с 1.35 В до 1.2 В. Оценить возможности DDR4 можно будет лишь с выпуском нового чипсета Intel X99 и процессоров Haswell-E, которые появятся в продаже не раньше сентября.

Современным стандартом оперативной памяти в персональных компьютерах и ноутбуках является DDR3, но ему на смену в ближайшее время придет следующее поколение модулей - DDR4. До недавних пор лимитом памяти для модулей последнего поколения были 64 ГБ, но компания Hynix заявила, что создала первый в мире модуль DDR4 с объемом памяти 128 ГБ. Устройство изготовлено по 20 нм технологии и может обрабатывать до 17 ГБ данных в секунду, а для его работы требуется всего 1.2 В (для DDR3 обычно необходимо 1.5 В). Коммерческое производство модулей должно начаться в первой половине 2015 года.