Евпропейские инженеры создают RAM-память нового поколения
Команда европейских инженеров работает над экспериментальными чипами RAM-памяти, пропускная способность которых составит рекордные 100 Гбит/сек. Предполагается, что данные чипы полностью откажутся от медных соединений, несколько изменят конфигурацию и перейдут на оптические внутренние канала связи. Авторы разработки говорят, что предлагаемые чипы станут первыми в своем роде. Сейчас в проекте под названием RAMPLAS принимают участие шесть европейских университетов, получивших несколько миллионов евро от Евросоюза в рамках программы FP7 (Seventh Framework Programme). Разработчики технологии говорят, что в новых чипах памяти предполагается объединить две технологии - используемую сейчас SOI (Silicon on Insulator) и сравнительно новую технологию "фотонной интеграции"...