IBM сообщила о создании 5-нм чипа (3 фото + видео)

Компания IBM продолжает развивать стратегию по уменьшению размера транзисторов. Ожидается, что в 2019 году их длина сократится до 7 нм, а к 2023 году параметр достигнет 5 нм. На данный момент этот показатель в выпускаемой электронике составляет 10–14 нм. Улучшение габаритов позволит размещать на одном чипе размером с ноготь не 20, а 30 млрд транзисторов, увеличив тем самым мощность любой техники в два раза. По заявлению разработчика, 5-нм решения на 40% эффективнее существующих на рынке 10-нм чипов, а энергопотребление ниже на 75% при одинаковой производительности. Разработка ведётся совместно с корпорацией Samsung и GlobalFoundries.


Последние шесть лет IBM использует архитектуру FinFET. В данном случае каждый транзистор получает три токопроводящих слоя. Теперь с поставленной задачей будут справляться кремниевые нанопластины, которые создаются по методике УФ-литографии. С изменением базы связано и увеличение количества выходов: их станет четыре.


Источник: IBM