Южнокорейский производитель Samsung заявил о начале массового производства чипов памяти LPDDR4 с плотностью 12 Гигабит, что является рекордом на сегодняшний день. Чипы изготовляются с соблюдением 20-нм технологических норм, что даст возможность создавать микросхемы на 6 ГБ для мобильных устройств, так что появление смартфонов с 6 ГБ оперативной памяти уже не за горами. Для получения такого объёма необходимо объединить четыре 12-Гбитных чипа. По своим габаритам новая микросхема сопоставима с нынешней на 3 ГБ.

Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом сократив энергопотребление. Hynix - производитель 2-ГБ модуля оперативной памяти LPDDR4 с пропускной способностью 8 Гбит, который вместе со Snapdragon 810 SoC обеспечивает работу G Flex 2. Гибкий смартфон был представлен на международной выставке CES 2015 в Лас-Вегасе. Кстати, LG G Flex 2 стал первым смартфоном с DDR4.

Известность компании Samsung принесла, в основном, потребительская электроника - телевизоры, мониторы, смартфоны и так далее. Однако, она так же занимается разработкой и производством различных электронных модулей, которые используются в устройствах самой компании, её партнёрами и даже конкурентами. Очередной новинкой, представленной корейской корпорацией стали модули оперативной памяти LPDDR4 объёмом 4 ГБ, производство которых начнётся уже в ближайшие дни. Скорость их работы составляет 3200 Мбит/с, а потребляемая мощность на 40% ниже, чем у предыдущего поколения. Разработчики уверяют, что данные модули поддерживают обработку видео в формате UltraHD в реальном времени, а так же позволяют вести серийную фотосъёмку в разрешениях, превышающих 20 МП. Похоже, что продажи LPDDR4 стартуют уже в начале следующего года, поэтому не исключено, что Galaxy S6 станет первым устройством, получившим 4 ГБ ОЗУ нового поколения.