Председатель совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) последние недели потратил на участие в многочисленных интервью, делясь своими прогнозами на развитие полупроводниковой отрасли и сегмента инфраструктуры ИИ. Выступая на канале CNBC, он призвал готовиться к ухудшению дефицита памяти в следующем году и росту цен на все виды устройств, оснащаемых ею.

Ещё в 2022 году южнокорейская компания SK hynix выразила намерения вложить в локализацию производства памяти в США около $15 млрд. Ппрошедший 2023 год подчеркнул важность доступа крупных клиентов компании к передовой памяти HBM, а потому источники The Wall Street Journal сообщили, что SK hynix собирается потратить $4 млрд на строительство предприятия в штате Индиана.

Современным стандартом оперативной памяти в персональных компьютерах и ноутбуках является DDR3, но ему на смену в ближайшее время придет следующее поколение модулей - DDR4. До недавних пор лимитом памяти для модулей последнего поколения были 64 ГБ, но компания Hynix заявила, что создала первый в мире модуль DDR4 с объемом памяти 128 ГБ. Устройство изготовлено по 20 нм технологии и может обрабатывать до 17 ГБ данных в секунду, а для его работы требуется всего 1.2 В (для DDR3 обычно необходимо 1.5 В). Коммерческое производство модулей должно начаться в первой половине 2015 года.