ASML разогнала EUV до киловатта — производительность сканеров вырастет на 50 % через несколько лет
Мировой лидер в производстве фотолитографических систем (EUV и DUV) для полупроводниковой промышленности компания ASML совершила прорыв в технологии EUV-литографии и планирует увеличить выпуск чипов на 50 % к 2030 году. Инженеры компании смогли повысить мощность источника света до 1000 ватт, что позволит обрабатывать до 330 кремниевых пластин в час и существенно снизить стоимость производства передовых процессоров.
По сообщению Reuters, исследователи разработали метод кардинального увеличения мощности источника света в установках для литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV). Это техническое достижение позволит к концу текущего десятилетия повысить производительность оборудования на 50 % и укрепить позиции компании на фоне растущей конкуренции со стороны американских и китайских производителей. Ведущий технолог ASML Майкл Пурвис (Michael Purvis) подтвердил полную работоспособность системы мощностью 1000 ватт в условиях реального производства и отметил отсутствие фундаментальных препятствий для дальнейшего роста показателя до 2000 ватт.
Ключевое преимущество повышения мощности источника с текущих 600 до 1000 ватт заключается в возможности выпускать больше продукции за единицу времени. Поскольку чипы печатаются методом фотолитографии, более интенсивное излучение позволяет сократить время экспонирования химического слоя на кремниевой пластине. Вице-президент направления EUV-машин Тён ван Гог (Teun van Gogh) прогнозирует, что благодаря этому обновлению оборудование сможет обрабатывать около 330 пластин в час к 2030 году, тогда как сейчас этот показатель составляет 220. Рост пропускной способности сканеров обеспечит заказчикам снижение себестоимости каждого устройства и поддержит экономическую целесообразность применения EUV-технологий.
Для реализации этого плана ASML усовершенствовала технологический процесс, который и без того считается одной из сложнейших инженерных задач. Речь идет о системе, в которой свет с длиной волны 13,5 нанометра возникает при обстреле потока расплавленного олова мощным лазером, превращающим вещество в плазму. Ключевым нововведением стало удвоение частоты капель до 100 000 в секунду и применение схемы с двумя лазерными импульсами для их формовки, что отличает систему от текущих моделей. Масштаб проделанной работы прокомментировал профессор Университета штата Колорадо Хорхе Х. Рокка (Jorge J. Rocca), который назвал достижение киловаттной мощности удивительным результатом, требующим глубокого понимания множества технологий.
Reuters отмечает, что именно этот высокий инженерный барьер помогает нидерландскому холдингу сохранять дистанцию от новых конкурентов, таких как американские стартапы Substrate и xLight, разрабатывающие свои решения при финансовой поддержке правительства США.