Samsung и Qualcomm выпустят 10-нм чип Snapdragon 835 с поддержкой Quick Charge 4.0
Компания Qualcomm Technologies и Samsung Electronics официально объявили о сотрудничестве, в рамках которого разработали новый мобильный процессор Snapdragon 835, построенный на базе 10-нанометрового техпроцесса FinFET от Samsung. Новый флагманский чипсет придёт на смену Snapdragon 820/821 в топовых устройствах 2017 года.
Применяемый технологический процесс позволит уменьшить габариты процессора, что в будущем освободит пространство внутри гаджета для установки более емкого аккумулятора или других улучшений. Кроме того, производители заявляют об увеличенной на 27% производительности и уменьшенном на 40% энергопотреблении относительно флагманского предшественника (Snapdragon 820/821).
Еще одно новшество, Snapdragon 835 будет поддерживать технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, в которой предусмотрена четырехуровневая защита от перегрева устройства и трехступенчатый контроль тока и напряжения. Как заявляется, смартфон с новой функцией и аккумулятором на 2750 мАч после пятиминутной зарядки сможет проработать пять последующих часов. Кроме того, Quick Charge 4.0 полностью совместим с протоколами USB Type-C, чего недоставало версии 3.0.
Первые устройства с процессором Snapdragon 835 и быстрой зарядкой Quick Charge 4.0 появятся в первой половине 2017 года.
Источник: samsung.com