Samsung представила первую в мире 10-нм FinFET технологию полупроводников
Пока крупнейшие производители чипсетов для мобильных устройств, как, например, Qualcomm, продолжают полагаться на 20-нм техпроцесс для создания своих топовых микросхем, компания Samsung пошла дальше и разработала 14-нм чипсет, выполненный по технологии FinFET. По слухам, эти микросхемы дебютируют в Samsung Galaxy S6 и S6 Edge. Кроме того, схожая технология производства полупроводников будет применена при создании новых чипов серии A от Apple. Несмотря на то, что 14-нм техпроцесс ещё пока только начинает свое развитие, компании Samsung показалось этого мало и на этой неделе южнокорейский гигант представил первую в мире технологию производства полупроводников по 10-нм техпроцессу с использованием конструкции FinFET.
Технология была продемонстрирована на международной конференции твердотельной электроники ISSCC, которая проходит с 22 по 26 февраля в Сан-Франциско. Президент отделения полупроводниковых технологий компании Samsung Electronics Ким Ки-Нам заявил, что представленная технология будет большим шагом в развитии Интернета вещей, так как чипсеты, выполненные по новому техпроцессу, будут ещё более энергоэффективными и меньше по размеру, чем предыдущие разработки. Также представитель Samsung рассказала о 10-нм процессе производства DRAM-памяти и 3D V-NAND-технологии производства носителей информации.
Пока не сообщается, когда новая технология начнет применяться для производства потребительских продуктов, но это точно не произойдет до 2016 года. Так что, возможно, преемник Galaxy S6 получит процессор, выполненный с использованием 10-нм техпроцесса. Samsung делает серьёзные успехи в области полупроводниковых технологий, и компания на пути к тому, чтобы занять ещё более прочные позиции в качестве поставщика аппаратного обеспечения для крупных производителей.
Источник: gforgames.com