• Криптовалютный миллионер создал костюм суперзлодея (7 фото + видео)

    19 летний Эрик Финман, состояние которого оценивают в 3.3 млн долларов США, сконструировал костюм одного злодея из комиксов о "Человеке-пауке".
    Читать дальше
  • AnTuTu составил ТОП-10 самых мощных смартфонов мая (2 фото)

    Бенчмарк для мобильных устройств AnTuTu опубликовал майский ТОП-10 самых производительных смартфонов. В сравнении с рейтингом за апрель, имеются изменения поскольку прошлый месяц был богат на премьеры.
    Читать дальше
  • Tesla Model X проехалась в подземном туннеле The Boring Company (видео)

    Новое детище бизнесмена Илона Маска, названное "скучным" названием The Boring Company, быстрыми темпами набирает обороты и всё чаще фигурирует в новостях. На днях компания опубликовала видео с испытаний на тестовом участке скоростной транспортной трассы под Лос-Анджелесом. В подземном туннеле по электрорельсам со свистом прокатился эле...
    Читать дальше
  • Microsoft отказывается от поддержки своих продуктов

    Корпорация Microsoft сообщила, что больше не намерена поддерживать свои старые проекты и не будет отвечать на форумах на вопросы, касающиеся устаревших программ, операционных систем и устройств.
    Читать дальше
  • Apple наказали за блокировку iPhone (2 фото)

    Федеральный суд Австралии признал американскую компанию Apple виновной в нарушении работы iPhone и назначил к выплате штраф в 6,6 миллионов долларов США.
    Читать дальше

Samsung представила первую в мире 10-нм FinFET технологию полупроводников

25 февраля 2015 | Железо
Samsung представила первую в мире 10-нм FinFET технологию полупроводников

Пока крупнейшие производители чипсетов для мобильных устройств, как, например, Qualcomm, продолжают полагаться на 20-нм техпроцесс для создания своих топовых микросхем, компания Samsung пошла дальше и разработала 14-нм чипсет, выполненный по технологии FinFET. По слухам, эти микросхемы дебютируют в Samsung Galaxy S6 и S6 Edge. Кроме того, схожая технология производства полупроводников будет применена при создании новых чипов серии A от Apple. Несмотря на то, что 14-нм техпроцесс ещё пока только начинает свое развитие, компании Samsung показалось этого мало и на этой неделе южнокорейский гигант представил первую в мире технологию производства полупроводников по 10-нм техпроцессу с использованием конструкции FinFET.

Технология была продемонстрирована на международной конференции твердотельной электроники ISSCC, которая проходит с 22 по 26 февраля в Сан-Франциско. Президент отделения полупроводниковых технологий компании Samsung Electronics Ким Ки-Нам заявил, что представленная технология будет большим шагом в развитии Интернета вещей, так как чипсеты, выполненные по новому техпроцессу, будут ещё более энергоэффективными и меньше по размеру, чем предыдущие разработки. Также представитель Samsung рассказала о 10-нм процессе производства DRAM-памяти и 3D V-NAND-технологии производства носителей информации.

Пока не сообщается, когда новая технология начнет применяться для производства потребительских продуктов, но это точно не произойдет до 2016 года. Так что, возможно, преемник Galaxy S6 получит процессор, выполненный с использованием 10-нм техпроцесса. Samsung делает серьёзные успехи в области полупроводниковых технологий, и компания на пути к тому, чтобы занять ещё более прочные позиции в качестве поставщика аппаратного обеспечения для крупных производителей.

Источник: gforgames.com
Понравился пост? Просоединяйтесь к нам в Facebook!

Написать комментарий


Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код


Комментарии: 5

avatar
25 февраля 2015 13:50 Ваше имя
Интересно... что они будут делать, когда дойдут до 1-го нанометра?
+ 2
Ответить
avatar
25 февраля 2015 14:29 totoro
Пусть сначала дойдут )
+ -1
Ответить
avatar
25 февраля 2015 14:50 Иван
Поверьте, 10 это уже прорыв прорывов.
+ 3
Ответить
avatar
27 февраля 2015 15:09 Александр Шипилов
Поставят в начале запятую и пойдут в другую сторону.
+ 0
Ответить
avatar
25 февраля 2015 21:04 Ваше имя
молодцы, что тут скажешь
+ 3
Ответить
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.