Elpida Memory создает прототип резистивной памяти с произвольным доступом

Японская компания Elpida Memory, являющаяся третьим по значимости игроком на мировом рынке памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory), официально сообщила о разработке своего первого прототипа энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Данный продукт, как заявлено, изготовлен согласно 50-нанометровым технологическим нормам и обладает емкостью 64 Мбит, что является одним из лучших возможных показателей для памяти стандарта ReRAM. Сообщается, что в разработке указанного прототипа помимо специалистов Elpida Memory принимала участие японская государственная организация по развитию энергетических и промышленных технологий (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO). При этом дальнейшие работы в этом направлении будут проводиться совместно с Sharp Corporation, Национальным институтом прогрессивной промышленной науки и технологии (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST) и Токийским университетом. Добавим, что ReRAM (Resistance Random Access Memory) является одной из наиболее перспективных технологических разработок в области памяти, сочетающей высокую скорость работы DRAM и возможность сохранять данные без подвода питания, присущую NAND. При этом ReRAM выдерживает свыше одного миллиона циклов перезаписи, что более чем на порядок превышает показатель той же NAND памяти. Производитель рассчитывает начать массовый выпуск чипов ReRAM с емкостью гигабитного класса в 2013 году, используя нормы 30-нанометровой технологии.

Источник: elpida