В Китае создали наноимпринтный литограф на 10 нм

На фоне ограничений со стороны США Китай продолжает наращивать усилия по развитию собственного оборудования для производства полупроводников. Компания Pulin Technology впервые поставила заказчику установку PL-SR для наноимпринтной литографии (NIL) — технологии, которую рассматривают как возможную замену или дополнение к традиционной EUV (фотолитографии в глубоком ультрафиолете).

Система PL-SR построена по схеме step-and-repeat и рассчитана на техпроцессы ниже 10 нм и, по словам разработчиков, по ряду параметров сопоставима с NIL-решением Canon, которое появилось в США в прошлом году. Китайская установка поддерживает работу с 12-дюймовыми пластинами, подходит для производства памяти, фотоники, упаковки и дисплеев, а точность совмещения слоёв составляет менее 2 нм. Это делает технологию потенциально пригодной для массового выпуска продвинутых микросхем.

Хотя NIL проще, добиться высокой точности и стабильности — задача не менее сложная, чем в EUV. Pulin Technology утверждает, что добилась стабильной толщины остаточного слоя менее 10 нм и продвигается к точности совмещения в пределах 1 нм. В компании подчёркивают, что для масштабирования производства необходимо развивать локальную цепочку поставок, включая оборудование, материалы и ПО. Уже сегодня в проект вовлечены сотни исследовательских центров и компаний.

Сама технология NIL не нова: над ней также работают Canon и другие компании. При этом поставка установки Pulin клиенту считается первой коммерческой реализацией такого оборудования китайской разработки. Это может стать важным шагом для Поднебесной в борьбе за технологическую независимость.