• Раскрыты подробности складного смартфона Samsung Galaxy X (3 фото)

    В рамках январской выставки электроники CES 2018 южнокорейская компания провела закрытый показ прототипа своего первого складного смартфона Galaxy X, чтобы узнать реакцию приглашённых на инновационный продукт. К сожалению, на тот момент никто из инсайдеров так и не решился поделиться подробностями или снимками, сфотографированными тайком....
    Читать дальше
  • Intel разрешит сканировать ПК на вирусы с помощью видеокарт

    Intel заявила о новом способе использования видеокарт. Компания планирует использовать интегрированную графику в процессорах вместо самого процессора для поиска вредоносного ПО на компьютере.
    Читать дальше
  • Стали известны подробности о новой российской ракете

    Как заявил Владимир Лепин, руководитель предприятия «Техмаш», авиационных ракет, подобных «Бронебойщику», у нас еще не было. Она разработана для замены устаревших неуправляемых ракет, которыми оснащались штурмовики Су-25 и вертолеты Ми-8.
    Читать дальше
  • MagicBook — клон MacBook от бренда Honor за $800 (9 фото)

    Бренд Honor, являющийся «дочкой» китайской компании Huawei, помимо флагманского смартфона Honor 10 представил свой первый ноутбук. Им стал металлический ультрабук Honor MagicBook с процессорами Intel Core 8-поколения и операционной системой Windows 10.
    Читать дальше
  • Huawei анонсировала флагман Honor 10 (19 фото)

    Китайская компания Huawei представила новый флагманский смартфон Honor 10. Мобильный аппарат оснащён сдвоенной камерой с искусственным интеллектом, необычным ярким дизайном и «вытянутым» экраном.
    Читать дальше

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

27 марта 2015 | Железо
Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

Компании Micron Technology и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с очень высоким уровнем плотности размещения ячеек памяти. По утверждению разработчиков, 3D NAND с высоким уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

Технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Так как более высокая емкость обеспечивается за счёт установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.

Micron и Intel представили новую флеш-память 3D NAND (3 фото)

MLC-версия (256 Гбит) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гбит) начнутся этой весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV квартал этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.
Понравился пост? Просоединяйтесь к нам в Facebook!

Написать комментарий


Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код


Комментарии: 2

avatar
27 марта 2015 17:54 totoro
Хорошая новость, поскорее бы реализовали на картах памяти, а то 5 минут записи видео 4К больше 1 ГБ памяти занимает - это же ненормально. Да, и современные фотографии немало "весят".
+ 0
Ответить
avatar
30 марта 2015 16:55 Гость_1111
Вот уж, действительно, современные флагманы умеют снимать видео в FullHD, которое занимает очень много места. 4к вообще всю память "съедает". И вот зачем тогда нужна возможность съёмки таких видео, если по факту их хранить не на чем? Взять к примеру новый Galaxy S6 с 32 ГБ - это разве много??? А новую карту памяти с большим объёмом в телефон не вставишь. Фотографии по 12-20 Мп тоже не мало весят.
Ну, а если захочется любимую музыку в смартфон добавить (пусть даже с соц.сети, но с сохранением на карту памяти, чтобы телефон поменьше трафика сжирал) или видео?
+ 0
Ответить
В Вашем браузере отключен JavaScript. Для корректной работы сайта настоятельно рекомендуется его включить.